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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：20A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：20A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：20A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
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导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
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功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
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输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：20A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：20A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
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类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：20A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
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功率：3W
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
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输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：20A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：20A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：20A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：20A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：20A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：20A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：20A€100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
连续漏极电流：20A€100A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
输入电容：1250pF@15V
阈值电压：2.1V@250µA
功率：3W
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
连续漏极电流：20A€100A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
输入电容：1250pF@15V
阈值电压：2.1V@250µA
功率：3W
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17510Q5A
连续漏极电流：20A€100A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
输入电容：1250pF@15V
阈值电压：2.1V@250µA
功率：3W
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
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