品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLHS6242TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.98W€9.6W
阈值电压:1.1V@10µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@10V
连续漏极电流:10A€12A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@8.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32136C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3460EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN302P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882pF@10V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS420EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@5V
连续漏极电流:1.65A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1643pF@20V
连续漏极电流:4.65A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3441T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@5V
连续漏极电流:1.65A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7821TRPBF
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@15V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA291P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1100UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:670mW
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:83mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":45000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD2110TT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1072pF@6V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1643pF@20V
连续漏极电流:4.65A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1643pF@20V
连续漏极电流:4.65A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:11.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:11.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32136C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:11.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":66000,"MI+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN302P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882pF@10V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C05NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1972pF@15V
连续漏极电流:11.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: