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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN302P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：66000，"MI+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN302P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
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连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
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连续漏极电流：2.4A
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连续漏极电流：2.4A
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栅极电荷：14nC@4.5V
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输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
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导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
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连续漏极电流：2.4A
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阈值电压：1.5V@250µA
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连续漏极电流：2.4A
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阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
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连续漏极电流：2.4A
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导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
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连续漏极电流：2.4A
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导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
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阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
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连续漏极电流：2.4A
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导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
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连续漏极电流：2.4A
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阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
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漏源电压：20V
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阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
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导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
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阈值电压：1.5V@250µA
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连续漏极电流：2.4A
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连续漏极电流：2.4A
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漏源电压：20V
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栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
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漏源电压：20V
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阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
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阈值电压：1.5V@250µA
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栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
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阈值电压：1.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
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漏源电压：20V
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阈值电压：1.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
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导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
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阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882pF@10V
连续漏极电流：2.4A
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导通电阻：55mΩ@2.4A，4.5V
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类型：P沟道
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功率：500mW
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