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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:9.8A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订24个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订24个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XNEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€12.5W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4916NR2G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4916NR2G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4916NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1376pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4403P_R2_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4403P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1730pF@15V

    连续漏极电流:9.8A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2305-TP 起订49个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2305-TP 起订49个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2A,1.8V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1054UCB4-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1054UCB4-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1054UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:908pF@6V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G 起订2154个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G 起订2154个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2741}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3443T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:565pF@5V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR8256TRPBF 起订9个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR8256TRPBF 起订9个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR8256TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:63W

    阈值电压:2.35V@25µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@13V

    连续漏极电流:81A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订4个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G09P02L 起订4个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G09P02L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:23mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3433T1G 起订1479个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3433T1G 起订1479个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1882}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3433T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@5V

    连续漏极电流:2.35A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3707ZSTRLPBF 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3707ZSTRLPBF 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1701

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3707ZSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:2.25V@25µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1210pF@15V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@21A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAZ 起订3307个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAZ 起订3307个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":423,"18+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XNEAZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€12.5W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNEAR 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV20XNEAR 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV20XNEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€6.94W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS3443T1G 起订631个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS3443T1G 起订631个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVGS3443T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:565pF@5V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G 起订1457个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G 起订1457个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":4433,"07+":49500,"08+":1500,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@24V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订3307个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XNEAX 起订3307个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4502,"19+":92500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XNEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460mW€12.5W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT439N 起订20个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT439N 起订20个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:15+

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT439N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTAG 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTAG 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":3662,"09+":15000,"10+":55476}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1200个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订1200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT439N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT439N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT439N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订12000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR2101PT1G 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR2101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@4V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR2703TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR2703TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR2703TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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