品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1376pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":4433,"07+":49500,"08+":1500,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@24V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4708NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@24V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":1332,"07+":14052,"08+":205778,"10+":43996,"MI+":6900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4706NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
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ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1376pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1376pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1376pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1193,"13+":300,"15+":843,"18+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1376pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1376pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4707NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@24V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@24V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1193,"13+":300,"15+":843,"18+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1376pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":27500,"06+":11126,"MI+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4707NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@24V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":5925,"10+":187915}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4872NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:6A€10.2A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":4433,"07+":49500,"08+":1500,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@24V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":27500,"06+":11126,"MI+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4707NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@24V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":5925,"10+":187915}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4872NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:6A€10.2A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":27500,"06+":11126,"MI+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4707NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@24V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":1332,"07+":14052,"08+":205778,"10+":43996,"MI+":6900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4706NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":180,"11+":27453,"12+":104534,"14+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4809NHT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2155pF@12V
连续漏极电流:9.6A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1376pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1193,"13+":300,"15+":843,"18+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1376pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":180,"11+":27453,"12+":104534,"14+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4809NHT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2155pF@12V
连续漏极电流:9.6A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1376pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1376pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1376pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1376pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4707NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@24V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4916NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1376pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4706NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: