采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@15V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.15mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD09P10-195-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€32.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：34.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：195mΩ@3.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
