采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8310-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8310-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8310-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8310-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8310-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E050RPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8310-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8310-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8310-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
