品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB23XNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6623TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:1.4W€42W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@10V
连续漏极电流:16A€55A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN306P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@6V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN16XNEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW€6.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN306P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@6V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":1000,"08+":149685,"09+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4744NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:880mW€47.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@12V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN306P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@6V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN306P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@6V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17501Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN16XNEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW€6.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN16XNEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW€6.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN16XNEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW€6.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV30XPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€5.435W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1465pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN16XNEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW€6.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: