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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013CX-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：190mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：450mA
类型：P沟道
导通电阻：760mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI1013CX-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：190mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：450mA
类型：P沟道
导通电阻：760mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1013CX-T1-GE3
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功率：190mW
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栅极电荷：2.5nC@4.5V
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连续漏极电流：450mA
类型：P沟道
导通电阻：760mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
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功率：190mW
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输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：450mA
类型：P沟道
导通电阻：760mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
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功率：190mW
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输入电容：45pF@10V
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类型：P沟道
导通电阻：760mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI1013CX-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：190mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：450mA
类型：P沟道
导通电阻：760mΩ@400mA，4.5V
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规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
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输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_GE3
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功率：3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_BE3
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功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
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输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
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功率：3W
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1013CX-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：190mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：450mA
类型：P沟道
导通电阻：760mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI1013CX-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：190mW
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：450mA
类型：P沟道
导通电阻：760mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@4.5V
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输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013CX-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：190mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：450mA
类型：P沟道
导通电阻：760mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@4.5V
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输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013CX-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：190mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@4.5V
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输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：450mA
类型：P沟道
导通电阻：760mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1013CX-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：190mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
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输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：450mA
类型：P沟道
导通电阻：760mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI1013CX-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：190mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：450mA
类型：P沟道
导通电阻：760mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013CX-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：190mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：450mA
类型：P沟道
导通电阻：760mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013CX-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：190mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：450mA
类型：P沟道
导通电阻：760mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013CX-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：190mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：450mA
类型：P沟道
导通电阻：760mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013CX-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：190mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：450mA
类型：P沟道
导通电阻：760mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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