品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":708,"04+":18895,"05+":2500,"06+":2920}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD80N02T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@80A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5890NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€107W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:24A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD80N02T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@80A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5890NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€107W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:24A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5890NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€107W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:24A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":708,"04+":18895,"05+":2500,"06+":2920}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD80N02T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@80A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD80N02T4
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@4.5V
漏源电压:24V
导通电阻:5.8mΩ@80A,10V
阈值电压:3V@250µA
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存: