采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2475，"22+"：37500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD03N50C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.9V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2475，"22+"：37500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD03N50C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.9V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50FTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.55Ω@1.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2475，"22+"：37500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD03N50C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.9V@135µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4515}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50UTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R650CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：342pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@1.8A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
