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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL210TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：960mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@580mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R1K4CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.5V@70µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：178pF@100V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@900mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：960mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@580mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL210TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：960mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@580mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR210TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR210TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R1K4CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：178pF@100V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@900mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R1K4CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：178pF@100V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@900mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：960mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@580mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR214TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1.3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R1K4CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：178pF@100V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@900mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：960mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@580mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R1K4CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：178pF@100V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@900mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR210TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2309CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR210TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7S60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
