采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMS5P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@16V
连续漏极电流：3.95A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZQ050P01TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZQ050P01TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZQ050P01TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZQ050P01TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：2125，"10+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS5P02R2SG
工作温度：-55℃~150℃
功率：790mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@16V
连续漏极电流：3.95A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6A050ZPTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMS5P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@16V
连续漏极电流：3.95A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6A050ZPTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6A050ZPTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：2399，"06+"：266500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD78N03T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€64W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@12V
连续漏极电流：11.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@78A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMS5P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@16V
连续漏极电流：3.95A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6A050ZPTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZQ050P01TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZQ050P01TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6A050ZPTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZQ050P01TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@6V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS5P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：790mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@16V
连续漏极电流：3.95A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
