品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€113W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4665pF@50V
连续漏极电流:16A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.85mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3105pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2800}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8311TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€96W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@10V
连续漏极电流:32A€169A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5625,"22+":2889,"23+":3177}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8311TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€96W
阈值电压:2.35V@100µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@10V
连续漏极电流:32A€169A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5625,"22+":2889,"23+":3177}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3105pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€113W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4665pF@50V
连续漏极电流:16A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.85mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2800}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8311TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€96W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@10V
连续漏极电流:32A€169A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC90N10Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC90N10Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC90N10Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€113W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4665pF@50V
连续漏极电流:16A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.85mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS427EDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10.6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@40V
连续漏极电流:18.6A€70.6A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8311TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€96W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@10V
连续漏极电流:32A€169A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@40V
连续漏极电流:18.6A€70.6A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: