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    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 19nC@10V
    工作温度: -55℃~175℃
    类型: N沟道
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS6H850NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS6H850NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS6H850NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€107W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@40V

    连续漏极电流:11A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€107W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@40V

    连续漏极电流:11A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS015N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€79W

    阈值电压:2.2V@282µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1338pF@50V

    连续漏极电流:10.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y13-40B,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y13-40B,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y13-40B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1311pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-40MSDX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-40MSDX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-40MSDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:59W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1322pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NTAG 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NTAG 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€107W

    阈值电压:4V@70µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@40V

    连续漏极电流:11A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D23-40EX 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D23-40EX 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D23-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.3W€15W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:582pF@20V

    连续漏极电流:8A€19A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N03S2L20ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@23µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS6H850NTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS6H850NTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS6H850NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€107W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@40V

    连续漏极电流:11A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS015N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€79W

    阈值电压:2.2V@282µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1338pF@50V

    连续漏极电流:10.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS015N10MCLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS015N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€79W

    阈值电压:2.2V@282µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1338pF@50V

    连续漏极电流:10.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D23-40EX 起订13个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D23-40EX 起订13个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D23-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.3W€15W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:582pF@20V

    连续漏极电流:8A€19A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS015N10MCLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS015N10MCLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS015N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€79W

    阈值电压:2.2V@282µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13380pF@50V

    连续漏极电流:10.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB29N08T,118 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB29N08T,118 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":14136}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB29N08T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:5V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@14A,11V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86581-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86581-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86581-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YLB,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YLB,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLB,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@15V

    连续漏极电流:71A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB29N08T,118 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB29N08T,118 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":14136}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB29N08T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:5V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@14A,11V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30N03S2L20GBTMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30N03S2L20GBTMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":6344,"12+":2023,"14+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30N03S2L20GBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:2V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS6H850NTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS6H850NTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS6H850NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€107W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@40V

    连续漏极电流:11A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS015N10MCLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS015N10MCLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS015N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€79W

    阈值电压:2.2V@282µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13380pF@50V

    连续漏极电流:10.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS015N10MCLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS015N10MCLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS015N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€79W

    阈值电压:2.2V@282µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13380pF@50V

    连续漏极电流:10.5A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NWFTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NWFTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€107W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@40V

    连续漏极电流:11A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YLB,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YLB,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLB,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@15V

    连续漏极电流:71A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86581-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86581-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86581-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NTAG 起订4500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NTAG 起订4500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€107W

    阈值电压:4V@70µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@40V

    连续漏极电流:11A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB17N25S3100ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@54µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@17A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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