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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
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规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
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输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8886
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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