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    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 32nC@10V
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C454NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:19A€82A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90330E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90330E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90330E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@100V

    连续漏极电流:35.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@75A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD90330E-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@100V

    连续漏极电流:35.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ15T,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ15T,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB45NQ15T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@25V

    连续漏极电流:45.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:29A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C442NAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C442NAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:29A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD90330E-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@100V

    连续漏极电流:35.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S223ATMA2 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S223ATMA2 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N06S223ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@21A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7675M2TR 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7675M2TR 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF7675M2TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W€45W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1360pF@25V

    连续漏极电流:4.4A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@11A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@75A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD90330E-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@100V

    连续漏极电流:35.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD90330E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@100V

    连续漏极电流:35.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S223ATMA2 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S223ATMA2 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":2120,"23+":4592,"MI+":5875}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N06S223ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@21A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@75A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N04S406ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N04S406ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB70N04S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD90330E-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@100V

    连续漏极电流:35.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N04S406ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N04S406ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB70N04S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N04S406ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N04S406ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB70N04S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:29A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S223ATMA2 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N06S223ATMA2 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N06S223ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@21A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7675M2TR 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7675M2TR 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF7675M2TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W€45W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1360pF@25V

    连续漏极电流:4.4A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@11A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S406ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@75A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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