采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4368DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8340pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT1A060APTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4368DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8340pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：0，"MI+"：1735}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS8434
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT1A060APTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4368DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8340pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4368DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8340pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS8434
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT1A060APTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
功率：550mW
工作温度：150℃
栅极电荷：80nC@4.5V
输入电容：7800pF@6V
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：12V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
功率：550mW
工作温度：150℃
栅极电荷：80nC@4.5V
输入电容：7800pF@6V
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：12V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
