采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5053TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€8.3W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@50V
连续漏极电流：9.3A€46A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5053TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€8.3W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@50V
连续漏极电流：9.3A€46A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：3.8V@59µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3275pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：3.8V@59µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3275pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：18195，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1635pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@21A，6V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：3.8V@59µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3275pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：18195，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1635pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@21A，6V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：3.8V@59µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3275pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：3.8V@59µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3275pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：3.8V@59µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3275pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1635pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@21A，6V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1635pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@21A，6V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：0}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5053TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€8.3W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@50V
连续漏极电流：9.3A€46A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5053TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€8.3W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@50V
连续漏极电流：9.3A€46A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：3.8V@59µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3275pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：3.8V@59µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3275pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
