采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3407DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3407DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4425
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@14A，20V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4425
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@14A，20V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3407DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4425
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@14A，20V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3407DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4425
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@14A，20V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4425
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@14A，20V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3407DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3407DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3407DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4425
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@14A，20V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3407DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3407DV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@10V
连续漏极电流：7.5A€8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3407DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3407DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3407DV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@10V
连续漏极电流：7.5A€8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3407DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86263P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3905pF@75V
连续漏极电流：4.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
