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    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 4.8nC@10V
    当前匹配商品:200+
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    UMW Mosfet场效应管 1N60L 起订5个装
    UMW Mosfet场效应管 1N60L 起订5个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N60L

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P03FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订3000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订3000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR92PH6327XTSA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR92PH6327XTSA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR92PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@130µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@25V

    连续漏极电流:140mA

    类型:P沟道

    导通电阻:11Ω@140mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 1N60L 起订3个装
    UMW Mosfet场效应管 1N60L 起订3个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N60L

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N65G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV230ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€1.45W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV230ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€1.45W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R1K2P7SATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R1K2P7SATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN70R1K2P7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6.3W

    阈值电压:3.5V@40µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:174pF@400V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@900mA,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P03FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHQTA 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2F30FHQTA 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2F30FHQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:452pF@10V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR 起订6000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR 起订6000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV230ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€1.45W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV230ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€1.45W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV230ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€1.45W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV230ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€1.45W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E070GNTR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E070GNTR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E070GNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.4mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R1K2P7SATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R1K2P7SATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN70R1K2P7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6.3W

    阈值电压:3.5V@40µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:174pF@400V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@900mA,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N65G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R1K2P7SATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R1K2P7SATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN70R1K2P7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6.3W

    阈值电压:3.5V@40µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:174pF@400V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@900mA,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 1N60G 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 1N60G 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N60G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P03FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 1N60G 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 1N60G 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N60G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 1N65G 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):1N65G

    工作温度:150℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:11Ω@500mA,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P03FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR92PH6327XTSA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR92PH6327XTSA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR92PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@130µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@25V

    连续漏极电流:140mA

    类型:P沟道

    导通电阻:11Ω@140mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P03FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR92PH6327XTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSR92PH6327XTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSR92PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@130µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:109pF@25V

    连续漏极电流:140mA

    类型:P沟道

    导通电阻:11Ω@140mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

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