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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3590
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.18nF@40V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@6.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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ECCN：EAR99
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功率：2.5W
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功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
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栅极电荷：35nC@10V
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连续漏极电流：6.5A
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行业应用：工业,汽车
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功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
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栅极电荷：35nC@10V
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输入电容：1.18nF@40V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@6.5A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS3590
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
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导通电阻：39mΩ@6.5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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类型：1个N沟道
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
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连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@6.5A，10V
漏源电压：80V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3590
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
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栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@6.5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3590
输入电容：1.18nF@40V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：39mΩ@6.5A，10V
阈值电压：4V@250μA
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功率：2.5W
栅极电荷：35nC@10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS3590
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类型：1个N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：39mΩ@6.5A，10V
阈值电压：4V@250μA
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功率：2.5W
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：6.5A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS3590
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功率：2.5W
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栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.18nF@40V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@6.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3590
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.18nF@40V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@6.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6495NLT4G-VF01
功率：83W
导通电阻：50mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
连续漏极电流：25A
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：1.024nF@25V
包装清单：商品主体 * 1
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