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    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:3.5V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5SCATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5SCATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.6V@91µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2770pF@75V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@38A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ050N03LSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ050N03LSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ050N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€50W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:16A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":590}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC110N15NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.6V@91µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2770pF@75V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@38A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:261
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ050N03LSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ050N03LSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ050N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€50W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:16A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR424DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR424DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR424DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19533Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R105G7XTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R105G7XTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT65R105G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@440µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5SCATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5SCATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.6V@91µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2770pF@75V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@38A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N03LSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N03LSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC050N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5SCATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5SCATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.6V@91µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2770pF@75V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@38A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AONR36366
    AOS Mosfet场效应管 AONR36366

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR36366

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€28W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1835pF@15V

    连续漏极电流:30A€34A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD95R450P7ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD95R450P7ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD95R450P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.5V@360µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1053pF@400V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R105G7XTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT65R105G7XTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT65R105G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@440µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:89
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD95R450P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD95R450P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD95R450P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.5V@360µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1053pF@400V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ150N10LS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€63W

    阈值电压:2.1V@33µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5SCATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5SCATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC110N15NS5SCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.6V@91µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2770pF@75V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@38A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC110N15NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC110N15NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.6V@91µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2770pF@75V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@38A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD95R450P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD95R450P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD95R450P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.5V@360µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1053pF@400V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD95R450P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD95R450P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD95R450P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.5V@360µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1053pF@400V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

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