品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R360P7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:7.2W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:517pF@400V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN075-100MSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:773pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R360P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:59.4W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:517pF@400V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R360P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:59.4W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:517pF@400V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@13µA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@30V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R360P7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:7.2W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:517pF@400V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@13µA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@30V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN075-100MSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:773pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R360P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:59.4W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:517pF@400V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R360P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:59.4W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:517pF@400V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC41N06S5L100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@30V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R360P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:59.4W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:517pF@400V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y41-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1119pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R360P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:59.4W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:517pF@400V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y41-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1119pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R360P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:59.4W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:517pF@400V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y41-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1119pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y41-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1119pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R360P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:59.4W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:517pF@400V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R360P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:59.4W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:517pF@400V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN075-100MSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:773pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN075-100MSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:773pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R360P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:59.4W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:517pF@400V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN075-100MSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:773pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R360P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:59.4W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:517pF@400V
连续漏极电流:12.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@3A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y41-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1119pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: