品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2308CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:511pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4390}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25303W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2308CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:511pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):CSD25303W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
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连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2308CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:511pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TSM2308CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:511pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
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行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4390}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25303W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: