首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    包装方式
    栅极电荷
    行业应用
    类型
    工作温度
    漏源电压
    连续漏极电流
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 4.3nC@4.5V
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17522Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17522Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17522Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:695pF@15V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17522Q5A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17522Q5A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17522Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:695pF@15V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040AJTCL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040AJTCL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E040AJTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040AJTCL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040AJTCL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E040AJTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17522Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17522Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17522Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:695pF@15V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订12000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订12000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17322Q5A 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17322Q5A 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17322Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:695pF@15V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@14A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4414P_R2_00001 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4414P_R2_00001 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4414P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€21W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:392pF@25V

    连续漏极电流:8A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17522Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17522Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17522Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:695pF@15V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17522Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17522Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17522Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:695pF@15V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17522Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17522Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17522Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:695pF@15V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17522Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17522Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17522Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:695pF@15V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040AJTCL 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040AJTCL 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E040AJTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040AJTCL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040AJTCL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E040AJTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17522Q5A 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17522Q5A 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17522Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:695pF@15V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040AJTCL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040AJTCL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E040AJTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040AJTCL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040AJTCL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E040AJTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧