采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
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功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：37mΩ@6A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
输入电容：1490pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A
栅极电荷：22nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS9P2UH7
工作温度：150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@16V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：22.5mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1520pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1.2V@1mA
漏源电压：20V
连续漏极电流：6.5A
功率：1.25W
栅极电荷：22nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1520pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1.2V@1mA
漏源电压：20V
连续漏极电流：6.5A
功率：1.25W
栅极电荷：22nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
