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销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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集电集截止电流(Icbo)：1µA
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电集截止电流(Icbo)：1µA
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集电极电流(Ic)：100mA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集电集截止电流(Icbo)：1µA
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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电阻比：47千欧
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
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分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
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生产批次：{"22+"：250000}
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz，180MHz
功率：200mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
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分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
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晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
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集电集截止电流(Icbo)：1µA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
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晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
输入电阻：10千欧
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
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