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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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生产批次：{"22+"：63000，"23+"：3000}
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
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分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
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行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
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晶体管类型：NPN-预偏压
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分类：数字晶体管
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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特征频率：230MHz
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分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
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晶体管类型：NPN-预偏压
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