销售单位：个

规格型号(MPN)：STGD4M65DF2

包装方式：卷带（TR）

集电极脉冲电流(Icm)：16A

关断延迟时间：86ns

反向恢复时间：133ns

关断损耗：136µJ

开启延迟时间：12ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：15.2nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，4A

导通损耗：40µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGD4M65DF2

包装方式：卷带（TR）

集电极脉冲电流(Icm)：16A

关断延迟时间：86ns

反向恢复时间：133ns

关断损耗：136µJ

开启延迟时间：12ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：15.2nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，4A

导通损耗：40µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

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规格型号(MPN)：STGD4M65DF2

包装方式：卷带（TR）

集电极脉冲电流(Icm)：16A

关断延迟时间：86ns

反向恢复时间：133ns

关断损耗：136µJ

开启延迟时间：12ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：15.2nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，4A

导通损耗：40µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

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规格型号(MPN)：STGD4M65DF2

包装方式：卷带（TR）

集电极脉冲电流(Icm)：16A

关断延迟时间：86ns

反向恢复时间：133ns

关断损耗：136µJ

开启延迟时间：12ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：15.2nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，4A

导通损耗：40µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

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集电极脉冲电流(Icm)：16A

关断延迟时间：86ns

反向恢复时间：133ns

关断损耗：136µJ

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集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：15.2nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，4A

导通损耗：40µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

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集电极脉冲电流(Icm)：16A

关断延迟时间：86ns

反向恢复时间：133ns

关断损耗：136µJ

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集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：15.2nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，4A

导通损耗：40µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

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包装方式：卷带（TR）

集电极脉冲电流(Icm)：16A

关断延迟时间：86ns

反向恢复时间：133ns

关断损耗：136µJ

开启延迟时间：12ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：15.2nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2.1V@15V，4A

导通损耗：40µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1