销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：187mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz，180MHz

功率：230mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz，180MHz

功率：230mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz，200MHz

功率：100mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：48000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：8000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：8000，"04+"：241338}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，5V / 100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧，2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz，180MHz

功率：200mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz，180MHz

功率：230mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

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电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：187mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz，200MHz

功率：100mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

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输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz，200MHz

功率：100mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：200mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：47千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1