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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:56.8W

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:30nC@4.5V

    连续漏极电流:60A

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    输入电容:3240pF@20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA58ADP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJA58ADP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJA58ADP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:61nC@10V

    功率:5W€56.8W

    输入电容:3030pF@20V

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    连续漏极电流:32.3A€109A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS10DN-T1-GE3

    功率:57W

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:75nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:3750pF@20V

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    连续漏极电流:60A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD18514Q5AT

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:89A

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    功率:74W

    输入电容:2683pF@20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR418DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR418DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR418DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:75nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    功率:39W

    输入电容:2410pF@20V

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD18514Q5AT

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:89A

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    功率:74W

    输入电容:2683pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6144

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    输入电容:3780pF@20V

    类型:N沟道

    功率:78W

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:2.4mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:660mW

    栅极电荷:19.1nC@10V

    连续漏极电流:8A

    输入电容:1060pF@20V

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA52ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA52ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA52ADP-T1-RE3

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:1.63mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:4.8W€48W

    输入电容:5500pF@20V

    连续漏极电流:41.6A€131A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA52ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA52ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA52ADP-T1-RE3

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:1.63mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:4.8W€48W

    输入电容:5500pF@20V

    连续漏极电流:41.6A€131A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18504Q5A

    连续漏极电流:15A€50A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@17A,10V

    栅极电荷:19nC@10V

    功率:3.1W€77W

    输入电容:1656pF@20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:56.8W

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:30nC@4.5V

    连续漏极电流:60A

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    输入电容:3240pF@20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRB40DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRB40DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRB40DP-T1-GE3

    导通电阻:3.25mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46.2W

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    输入电容:4290pF@20V

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRB40DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRB40DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRB40DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    输入电容:4290pF@20V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.25mΩ@10A,10V

    功率:46.2W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4047LSD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4047LSD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC4047LSD-13

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    连续漏极电流:7A€5.1A

    功率:1.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18514Q5A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:89A

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    输入电容:2680pF@20V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    功率:74W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4882 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4882 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4882

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    输入电容:415pF@20V

    连续漏极电流:8A

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4882 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4882 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4882

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    输入电容:415pF@20V

    连续漏极电流:8A

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4047LSD-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4047LSD-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC4047LSD-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    连续漏极电流:7A€5.1A

    功率:1.3W

    类型:N和P沟道

    输入电容:1060pF@20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA72ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA72ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA72ADN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@20V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    栅极电荷:50nC@10V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.25mΩ@10A,10V

    功率:3.7W€52W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6236 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6236 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6236

    输入电容:1225pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:4.2W€39W

    栅极电荷:26nC@10V

    连续漏极电流:19A€30A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS10ADN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:61nC@10V

    输入电容:3030pF@20V

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    功率:4.8W€56.8W

    连续漏极电流:31.7A€109A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6144

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    输入电容:3780pF@20V

    类型:N沟道

    功率:78W

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:2.4mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6144 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6144

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    输入电容:3780pF@20V

    类型:N沟道

    功率:78W

    连续漏极电流:100A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:2.4mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ438DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ438DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3

    连续漏极电流:80A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:69.4W

    导通电阻:1.35mΩ@20A,10V

    输入电容:9400pF@20V

    栅极电荷:182nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18514Q5AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD18514Q5AT

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:89A

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@15A,10V

    功率:74W

    输入电容:2683pF@20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:56.8W

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:30nC@4.5V

    连续漏极电流:60A

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    输入电容:3240pF@20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7140 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7140 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7140

    功率:46W

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    输入电容:3350pF@20V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:50A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6236 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6236 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6236

    输入电容:1225pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:4.2W€39W

    栅极电荷:26nC@10V

    连续漏极电流:19A€30A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18504Q5A

    连续漏极电流:15A€50A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@17A,10V

    栅极电荷:19nC@10V

    功率:3.1W€77W

    输入电容:1656pF@20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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