采购热线 400-661-9010
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1C075UNTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5765，"08+"：3110，"11+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTD4401FR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：62500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS8425
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1098pF@15V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS8425
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1098pF@15V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5765，"08+"：3110，"11+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTD4401FR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2406
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：4006}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTD4401FR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD2P102LR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：7610，"07+"：4000，"08+"：4000，"10+"：4000，"9999"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTS2P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@16V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1C075UNTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：62500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS8425
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1098pF@15V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTS2P02R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@16V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1C075UNTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD2P102LR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1C075UNTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1C075UNTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：62500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS8425
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1098pF@15V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1C075UNTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：7610，"07+"：4000，"08+"：4000，"10+"：4000，"9999"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTS2P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@16V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD2P102LR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTD4401FR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTS2P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@16V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTD4401FR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
