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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001 起订8个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001 起订8个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:8
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:9
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:6000
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:11
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

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    类型:P沟道

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    漏源电压:20V

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    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

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    类型:P沟道

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    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

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    功率:350mW

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    包装方式:卷带(TR)

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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
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    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

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    包装清单:商品主体 * 1

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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

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    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:8
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

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    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

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    起购:11
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:416pF@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:26
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420UQ-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420UQ-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3420UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434.7pF@10V

    连续漏极电流:5.47A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420UQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420UQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3420UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434.7pF@10V

    连续漏极电流:5.47A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:23
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FDN308P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN308P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN308P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:341pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3420U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434.7pF@10V

    连续漏极电流:5.47A

    导通电阻:29mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3420U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434.7pF@10V

    连续漏极电流:5.47A

    导通电阻:29mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3420U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434.7pF@10V

    连续漏极电流:5.47A

    导通电阻:29mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3420U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434.7pF@10V

    连续漏极电流:5.47A

    导通电阻:29mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3420U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434.7pF@10V

    连续漏极电流:5.47A

    导通电阻:29mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:69
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N-Channel

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    加购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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