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    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 20V
    连续漏极电流: 1A
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB350UPE,315 起订43个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB350UPE,315 起订43个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB350UPE,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€3.125W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:127pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:450mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:43
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:95
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7R
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7R

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:58
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD402ED-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD402ED-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD402ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1.2nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:730mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF170XP,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF170XP,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMF170XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW€1.67W

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF170XP,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF170XP,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMF170XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW€1.67W

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF170XP,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF170XP,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMF170XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW€1.67W

    阈值电压:1.15V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:82pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:41
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:40000
    加购:10000
    TOREX Mosfet场效应管 XP151A12A2MR-G
    TOREX Mosfet场效应管 XP151A12A2MR-G

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP151A12A2MR-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:160mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF170XP,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF170XP,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMF170XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW€1.67W

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB350UPE,315
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB350UPE,315

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB350UPE,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€3.125W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:127pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:450mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:44
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ350UPEYL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ350UPEYL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ350UPEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€3.125W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:127pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:450mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF170XP,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF170XP,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMF170XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW€1.67W

    阈值电压:1.15V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2320UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2320UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2320UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:71pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF170XP,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMF170XP,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMF170XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW€1.67W

    阈值电压:1.15V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    TOREX Mosfet场效应管 XP151A12A2MR-G
    TOREX Mosfet场效应管 XP151A12A2MR-G

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP151A12A2MR-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:160mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
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