销售单位:个
规格型号(MPN):STL6N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@16V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:837pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL6N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@16V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STR2N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:367pF@16V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLMS1902TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@15V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:837pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STT5N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:367pF@16V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2402TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@15V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:837pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: