采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUS100N02TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP161A1265PR-G
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUS100N02TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6404
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@10V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@8.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUS100N02TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6404
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@10V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@8.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4806CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：961pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP161A1265PR-G
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUS100N02TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2310ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2310ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ2416_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1177pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL202SNH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@30µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1147pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3446CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2310ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
