品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:56nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2075UFDB-7
输入电容:642pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
导通电阻:75mΩ@2.9A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.95W€10W
输入电容:350pF@10V
栅极电荷:12nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA923EDJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
导通电阻:54mΩ@3.8A,4.5V
连续漏极电流:4.5A
功率:7.8W
阈值电压:1.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-13
连续漏极电流:3.4A
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
输入电容:292pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA906EDJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:4.5A
功率:7.8W
阈值电压:1.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA921EDJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:59mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
功率:7.8W
阈值电压:1.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
功率:5.7W
类型:P沟道
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-BE3
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2075UFDB-7
输入电容:642pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
导通电阻:75mΩ@2.9A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2075UFDB-7
输入电容:642pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
导通电阻:75mΩ@2.9A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-7
连续漏极电流:3.4A
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
输入电容:292pF@10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2100UQ-7
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:38mΩ@3.5A,10V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:216pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
栅极电荷:625nC@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:22000pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3419
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.5A
栅极电荷:4.4nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2075UFDB-7
输入电容:642pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:700mW
导通电阻:75mΩ@2.9A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-7
连续漏极电流:3.4A
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
输入电容:292pF@10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6415
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
导通电阻:75mΩ@3.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
类型:P沟道
漏源电压:20V
输入电容:620pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存: