品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301U-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
输入电容:608pF@6V
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301U-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
输入电容:608pF@6V
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01E6TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
输入电容:303pF@15V
功率:1.1W
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:3.2nC@4.5V
输入电容:419pF@10V
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25484F4
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:230pF@10V
功率:500mW
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
栅极电荷:1.42nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTQ025P02HZGTR
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:100mΩ@2.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@1mA
功率:950mW
栅极电荷:6.4nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
输入电容:580pF@10V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3446T1G
阈值电压:1.2V@250µA
导通电阻:45mΩ@5.1A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:500mW
漏源电压:20V
栅极电荷:15nC@4.5V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV75UP,215
输入电容:550pF@10V
功率:490mW€5W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:7.5nC@4.5V
连续漏极电流:2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2165UW-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V
栅极电荷:3.5nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
输入电容:335pF@15V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV75UP,215
输入电容:550pF@10V
功率:490mW€5W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:7.5nC@4.5V
连续漏极电流:2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25484F4
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:230pF@10V
功率:500mW
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
栅极电荷:1.42nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301U-7
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
输入电容:608pF@6V
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTQ025P02HZGTR
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:100mΩ@2.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@1mA
功率:950mW
栅极电荷:6.4nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
输入电容:580pF@10V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:3.2nC@4.5V
输入电容:419pF@10V
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD25484F4T
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:230pF@10V
功率:500mW
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
栅极电荷:1.42nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV75UP,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25481F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:0.913nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:189pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2165UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2069UFY4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:214pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P-Channel
导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:21+
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2069UFY4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:214pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:608pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25484F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:1.42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25481F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:0.913nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:189pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25484F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:1.42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2069UFY4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:214pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25481F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:0.91nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:189pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@500mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2165UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTQ025P02HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:6.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: