采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3911DCX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：140mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3911DCX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：140mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3911DCX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：140mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3911DCX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：140mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3911DCX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：140mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3911DCX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：140mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3911DCX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：140mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3911DCX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：140mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3911DCX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：140mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3911DCX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：140mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3911DCX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：140mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3911DCX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：882.51pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：140mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"05+"：30000，"06+"：2633，"07+"：1939，"08+"：49666，"09+"：235413，"10+"：105000，"11+"：30000，"13+"：30000，"14+"：54000，"MI+"：9000}
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
类型：P沟道
功率：1.1W
连续漏极电流：2.2A
漏源电压：20V
输入电容：300pF@10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
输入电容：375pF@6V
类型：P沟道
连续漏极电流：2.2A
漏源电压：20V
栅极电荷：10nC@4.5V
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
类型：P沟道
功率：1.1W
连续漏极电流：2.2A
漏源电压：20V
输入电容：300pF@10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
类型：P沟道
功率：1.1W
连续漏极电流：2.2A
漏源电压：20V
输入电容：300pF@10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：606，"22+"：21000，"23+"：57000，"24+"：358}
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
类型：P沟道
功率：1.1W
连续漏极电流：2.2A
漏源电压：20V
输入电容：300pF@10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
输入电容：375pF@6V
类型：P沟道
连续漏极电流：2.2A
漏源电压：20V
栅极电荷：10nC@4.5V
阈值电压：950mV@250µA
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：1613，"14+"：450}
规格型号(MPN)：PMV65UN，215
包装方式：卷带（TR）
功率：310mW€2.17W
输入电容：183pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@2A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：2.2A
漏源电压：20V
栅极电荷：3.9nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
类型：P沟道
功率：1.1W
连续漏极电流：2.2A
漏源电压：20V
输入电容：300pF@10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
输入电容：375pF@6V
类型：P沟道
连续漏极电流：2.2A
漏源电压：20V
栅极电荷：10nC@4.5V
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"10+"：2741}
规格型号(MPN)：NTGS3443T1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@5V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：65mΩ@4.4A，4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
连续漏极电流：2.2A
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
栅极电荷：15nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
类型：P沟道
功率：1.1W
连续漏极电流：2.2A
漏源电压：20V
输入电容：300pF@10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF63UNEX
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：289pF@10V
类型：N沟道
栅极电荷：5.85nC@4.5V
导通电阻：65mΩ@2A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：2.2A
漏源电压：20V
功率：395mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6310P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：337pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2741}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@5V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMF63UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：395mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.85nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
