品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB600UNELYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
类型:N沟道
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNEZ
功率:265mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCXB900UELZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
功率:380mW
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB600UNEYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
栅极电荷:0.8nC@8V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:46.1pF@10V
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNEZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNEYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNEZ
功率:265mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCXB900UELZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB600UNEYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:1.1nC@4.5V
功率:625mW
漏源电压:20V
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
栅极电荷:0.8nC@8V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:46.1pF@10V
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
栅极电荷:0.8nC@8V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:46.1pF@10V
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNEYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNELZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
功率:380mW
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004K-7
包装方式:卷带(TR)
功率:550mW
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:175pF@16V
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCXB900UELZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
类型:N沟道
输入电容:52.5pF@16V
栅极电荷:0.88nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004K-7
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
功率:550mW
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNEZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB600UNEYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
栅极电荷:0.8nC@8V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:46.1pF@10V
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:1.1nC@4.5V
功率:625mW
漏源电压:20V
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY300NZ
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1.3V@250µA
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:1.1nC@4.5V
功率:625mW
漏源电压:20V
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNEYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
类型:N沟道
输入电容:52.5pF@16V
栅极电荷:0.88nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
栅极电荷:0.8nC@8V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:46.1pF@10V
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7
栅极电荷:0.8nC@8V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:46.1pF@10V
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNELYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
功率:2.7W
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNEYL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:360mW€2.7W
栅极电荷:0.7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:600mA
输入电容:21.3pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: