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    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 20V
    工作温度: -55℃~150℃
    连续漏极电流: 600mA
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订41个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNELYL 起订41个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNELYL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    类型:N沟道

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    漏源电压:20V

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDXB600UNEZ 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDXB600UNEZ 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDXB600UNEZ

    功率:265mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCXB900UELZ 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCXB900UELZ 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCXB900UELZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:20V

    功率:380mW

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNEYL 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNEYL 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNEYL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:360mW€2.7W

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7

    栅极电荷:0.8nC@8V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:46.1pF@10V

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNEZ 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNEZ 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNEZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:360mW€2.7W

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNEYL 起订93个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNEYL 起订93个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNEYL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:360mW€2.7W

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    漏源电压:20V

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDXB600UNEZ 起订25个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDXB600UNEZ 起订25个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDXB600UNEZ

    功率:265mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCXB900UELZ 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCXB900UELZ 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCXB900UELZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNEYL 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNEYL 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNEYL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:360mW€2.7W

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDY300NZ 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY300NZ 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY300NZ

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:1.3V@250µA

    输入电容:60pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    功率:625mW

    漏源电压:20V

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7

    栅极电荷:0.8nC@8V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:46.1pF@10V

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7

    栅极电荷:0.8nC@8V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:46.1pF@10V

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNEYL 起订16个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNEYL 起订16个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNEYL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:360mW€2.7W

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDXB600UNELZ 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDXB600UNELZ 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDXB600UNELZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    功率:380mW

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004K-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004K-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2004K-7

    包装方式:卷带(TR)

    功率:550mW

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:175pF@16V

    类型:P沟道

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCXB900UELZ 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCXB900UELZ 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCXB900UELZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    类型:N沟道

    输入电容:52.5pF@16V

    栅极电荷:0.88nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004K-7 起订57个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2004K-7 起订57个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2004K-7

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    功率:550mW

    导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:175pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNEZ 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNEZ 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNEZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:360mW€2.7W

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNEYL 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB600UNEYL 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB600UNEYL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:360mW€2.7W

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7

    栅极电荷:0.8nC@8V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:46.1pF@10V

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY300NZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY300NZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY300NZ

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:1.3V@250µA

    输入电容:60pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    功率:625mW

    漏源电压:20V

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDY300NZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDY300NZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDY300NZ

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:1.3V@250µA

    输入电容:60pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    功率:625mW

    漏源电压:20V

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNEYL 起订74个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNEYL 起订74个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNEYL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:360mW€2.7W

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    漏源电压:20V

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订34个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订34个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    类型:N沟道

    输入电容:52.5pF@16V

    栅极电荷:0.88nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7

    栅极电荷:0.8nC@8V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:46.1pF@10V

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7

    栅极电荷:0.8nC@8V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:46.1pF@10V

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNELYL 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNELYL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    功率:2.7W

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNEYL 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ600UNEYL 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ600UNEYL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:360mW€2.7W

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    阈值电压:950mV@250µA

    连续漏极电流:600mA

    输入电容:21.3pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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