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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3436-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3436-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3436-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3436-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3436-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3436-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3436-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3436-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3436-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3436-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3436-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4nC@4.5V
连续漏极电流：1.2A
输入电容：365pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH260UNEH
导通电阻：310mΩ@700mA，4，5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
输入电容：41pF@10V
栅极电荷：0.95nC@4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4nC@4.5V
连续漏极电流：1.2A
输入电容：365pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
功率：335mW€2.17W
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH260UNEH
导通电阻：310mΩ@700mA，4，5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
输入电容：41pF@10V
栅极电荷：0.95nC@4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3436-AU_R1_000A1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@10V
导通电阻：380mΩ@1.2A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
栅极电荷：0.9nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ290UNE2YL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
功率：350mW€5.43W
类型：N沟道
栅极电荷：1.4nC@4.5V
导通电阻：320mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
输入电容：46pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH260UNEH
导通电阻：310mΩ@700mA，4，5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
输入电容：41pF@10V
栅极电荷：0.95nC@4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3436-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG1024NZ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：150pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO7407
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
功率：630mW
导通电阻：135mΩ@1.2A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG1024NZ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：150pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"12+"：1175}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75301W1015
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
类型：2个P沟道（双）
输入电容：195pF@10V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB290UNE2YL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
功率：350mW€5.43W
类型：N沟道
栅极电荷：1.4nC@4.5V
导通电阻：320mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
输入电容：46pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB290UNE2YL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
功率：350mW€5.43W
类型：N沟道
栅极电荷：1.4nC@4.5V
导通电阻：320mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
输入电容：46pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2402TRPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
输入电容：110pF@15V
导通电阻：250mΩ@930mA，4.5V
功率：540mW
漏源电压：20V
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ290UNE2YL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
功率：350mW€5.43W
类型：N沟道
栅极电荷：1.4nC@4.5V
导通电阻：320mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
阈值电压：950mV@250µA
输入电容：46pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB290UNE2YL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
功率：350mW€5.43W
类型：N沟道
栅极电荷：1.4nC@4.5V
导通电阻：320mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
输入电容：46pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV160UP，215
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4nC@4.5V
连续漏极电流：1.2A
输入电容：365pF@10V
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
功率：335mW€2.17W
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75301W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
