品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:2nC@10V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR1P02T1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:180mΩ@1.5A,10V
栅极电荷:2.5nC@5V
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:165pF@5V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:2nC@10V
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR1P02T1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:180mΩ@1.5A,10V
栅极电荷:2.5nC@5V
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
输入电容:165pF@5V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UW-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:0.74nC@4.5V
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
类型:N沟道
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMF170XP,115
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW€1.67W
阈值电压:1.15V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
导通电阻:200mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ350UPEYL
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:360mW€3.125W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:450mΩ@300mA,4.5V
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
输入电容:127pF@10V
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMF170XP,115
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW€1.67W
阈值电压:1.15V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
导通电阻:200mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMF170XP,115
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW€1.67W
阈值电压:1.15V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
导通电阻:200mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:3.9nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD402ED-T1-GE3
导通电阻:730mΩ@200mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
栅极电荷:1.2nC@8V
输入电容:16pF@10V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB350UPE,315
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:360mW€3.125W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:450mΩ@300mA,4.5V
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
输入电容:127pF@10V
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ350UPEYL
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:360mW€3.125W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:450mΩ@300mA,4.5V
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
输入电容:127pF@10V
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR1P02T1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:180mΩ@1.5A,10V
栅极电荷:2.5nC@5V
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:165pF@5V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR1P02T1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:180mΩ@1.5A,10V
栅极电荷:2.5nC@5V
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:165pF@5V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":6000,"14+":15000,"15+":12000}
规格型号(MPN):PMV170UN,215
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:1.65nC@4.5V
功率:325mW€1.14W
输入电容:83pF@10V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:165mΩ@1A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMF170XP,115
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW€1.67W
阈值电压:1.15V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
导通电阻:200mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:3.9nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR1P02T1G
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:180mΩ@1.5A,10V
栅极电荷:2.5nC@5V
类型:P沟道
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:165pF@5V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB350UPE,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€3.125W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:127pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:450mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7R
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR1P02T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:2.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@5V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@1.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD402ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:1.2nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:730mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMF170XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW€1.67W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMF170XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW€1.67W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMF170XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW€1.67W
阈值电压:1.15V@250µA
栅极电荷:3.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: