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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3431_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：325mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3431_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：325mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3431_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：325mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3431_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：325mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3431_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：325mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3431_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：325mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UW-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：627pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSV236SPH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW
输入电容：228pF@15V
导通电阻：175mΩ@1.5A，4.5V
连续漏极电流：1.5A
阈值电压：1.2V@8µA
类型：P沟道
漏源电压：20V
栅极电荷：5.7nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB150UNEYL
导通电阻：200mΩ@1.5A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：1.6nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
类型：N沟道
输入电容：93pF@10V
连续漏极电流：1.5A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSV236SPH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW
输入电容：228pF@15V
导通电阻：175mΩ@1.5A，4.5V
连续漏极电流：1.5A
阈值电压：1.2V@8µA
类型：P沟道
漏源电压：20V
栅极电荷：5.7nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NWH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：0.8nC@5V
输入电容：143pF@10V
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UWQ-7
功率：350mW
连续漏极电流：1.5A
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
漏源电压：20V
输入电容：627pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN308P
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：125mΩ@1.5A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：341pF@10V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2240UW-7
连续漏极电流：1.5A
功率：250mW
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
输入电容：320pF@16V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
导通电阻：150mΩ@2A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104LP-7
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
输入电容：320pF@16V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UW-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：627pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104LP-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2240UW-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.5A
功率：250mW
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：150mΩ@2A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NWH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：0.8nC@5V
输入电容：143pF@10V
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UWQ-7
功率：350mW
连续漏极电流：1.5A
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
漏源电压：20V
输入电容：627pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSD214SNH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：0.8nC@5V
输入电容：143pF@10V
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NWH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：0.8nC@5V
输入电容：143pF@10V
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN308P
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：125mΩ@1.5A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：341pF@10V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
栅极电荷：4.5nC@4.5V
连续漏极电流：1.5A
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
阈值电压：1.3V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
漏源电压：20V
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL215CH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：143pF@10V
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7µA
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSD214SNH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：0.8nC@5V
输入电容：143pF@10V
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
连续漏极电流：1.5A
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1403BDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：173000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL214NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104LP-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN308P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：341pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
