品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB21N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB21N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
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输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB21N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:9.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":115237,"24+":7348,"MI+":36781}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB21N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:9.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB21N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":124000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34NSTRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":115237,"24+":7348,"MI+":36781}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB21N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":124000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34NSTRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB21N06LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: