品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA72EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA72EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA72EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB27NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB27NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS010N10MCLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€77.8W
阈值电压:3V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB27NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB27NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA72EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN040-100MSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:36.6mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN040-100MSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:36.6mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN040-100MSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:36.6mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB27NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS010N10MCLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€77.8W
阈值电压:3V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS010N10MCLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€77.8W
阈值电压:3V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA72EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB27NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA72EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB27NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ474EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA72EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: