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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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功率：300W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
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漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
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功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
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ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
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栅极电荷：69nC@10V
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输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
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功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
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输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
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ECCN：EAR99
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输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
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功率：300W
阈值电压：4V@250µA
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输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
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输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
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类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
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功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
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输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
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功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
连续漏极电流：185A
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
功率：300W
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：3240pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
连续漏极电流：185A
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
功率：300W
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：3240pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
连续漏极电流：185A
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
功率：300W
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：3240pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
连续漏极电流：185A
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
功率：300W
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：3240pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
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