品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC050N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3.8V@72µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@50V
连续漏极电流:16A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC050N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3.8V@72µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@50V
连续漏极电流:16A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC050N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3.8V@72µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@50V
连续漏极电流:16A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD105N10F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD105N10F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC050N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3.8V@72µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@50V
连续漏极电流:16A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD105N10F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD105N10F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9540STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4369pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: