采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6495NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M43-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：20.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10LA
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6495NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M43-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：20.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6495NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M43-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：20.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M43-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6495NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M43-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：20.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M43-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：20.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M43-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M43-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2309pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10LA
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：523，"23+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6495NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6495NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1024pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
