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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL100HS121
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
阈值电压：2.3V@10µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@6.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRL100HS121
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功率：11.5W
阈值电压：2.3V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@6.7A，10V
漏源电压：100V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRL100HS121
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@6.7A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL100HS121
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
阈值电压：2.3V@10µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@6.7A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRL100HS121
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功率：11.5W
阈值电压：2.3V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
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输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@6.7A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_BE3
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功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_BE3
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功率：27W
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输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_GE3
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功率：27W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_GE3
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功率：27W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_GE3
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功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRL100HS121
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
阈值电压：2.3V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@6.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL100HS121
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
阈值电压：2.3V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@6.7A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL100HS121
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
阈值电压：2.3V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@6.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL100HS121
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
阈值电压：2.3V@10µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@6.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB68EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL100HS121
工作温度：-55℃~175℃
功率：11.5W
阈值电压：2.3V@10µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@6.7A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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